Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο:
https://hdl.handle.net/123456789/1385| Τύπος: | Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό |
| Τίτλος: | Asymmetric Si-slot coupler with nonreciprocal response based on graphene saturable absorption |
| Συγγραφέας: | [EL] Πιτιλάκης, Αλέξανδρος[EN] Pitilakis, Alexandros [EL] Χατζηδημητρίου, Δημήτριος[EN] Chatzidimitriou, Dimitrios [EL] Γιούλτσης, Τραϊανός[EN] Yioultsis, Trianos [EL] Κριεζής, Εμμανουήλ[EN] Kriezis, Emmanouil |
| Ημερομηνία: | 05/04/2021 |
| Περίληψη: | We present the study of a proof-of-concept integrated device that can be used as a nonlinear broadband isolator. The device is based on the asymmetric loading of a highly-confining silicon-slot photonic coupler with graphene layers, whose ultrafast and low-threshold saturable absorption can be exploited for nonreciprocal transmission between the cross-ports of the coupler. The structure is essentially a non-Hermitian system, whose exceptional points are briefly discussed. The nonlinear device is modeled with a coupled Schrödinger equation system whose validity is checked by full-vector finite element-based beam-propagation method simulations in CW. The numerically computed performance reveals a nonreciprocal intensity range (NRIR) in the vicinity of 100 mW peak power with a bandwidth spanning tens of nanometers, from CW down to ps-long pulses. Finally, the combination of saturable absorption and self-phase modulation (Kerr effect) in graphene is studied, indicating the existence of two NRIR with opposite directionality. |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Σελίδες: | 10 |
| DOI: | 10.1109/JQE.2021.3071247 |
| ISSN: | 0018-9197 |
| Θεματική κατηγορία: | [EL] Ηλεκτρική και Ηλεκτρονική Μηχανική[EN] Electrical and Electronic Engineering |
| Λέξεις-κλειδιά: | Nonlinear Optics; nonreciprocity; graphene; Silicon photonics; directional coupler; beam propagation method |
| Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων: | © 2021 IEEE |
| Όροι και προϋποθέσεις δικαιωμάτων: | Personal use is permitted, but republication/redistribution requires IEEE permission. See https://www.ieee.org/publications/rights/index.html for more information. |
| Διατίθεται ανοιχτά στην τοποθεσία: | https://arxiv.org/pdf/2101.10210.pdf |
| Ηλεκτρονική διεύθυνση του τεκμηρίου στον εκδότη: | https://ieeexplore.ieee.org/document/9395480 |
| Ηλεκτρονική διεύθυνση περιοδικού: | https://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=3 |
| Τίτλος πηγής δημοσίευσης: | IEEE Journal of Quantum Electronics |
| Τεύχος: | 3 |
| Τόμος: | 57 |
| Σελίδες τεκμηρίου (στην πηγή): | Article no 8400210 |
| Σημειώσεις: | This research is co-financed by Greece and the European Union (European Social Fund-ESF) through the Operational Programme “Human Resources Development, Education and Lifelong Learning 2014- 2020” in the context of the project “Design of nonlinear silicon devices incorporating graphene and using the Parity-Time symmetry concept” (MIS 5047874). |
| Εμφανίζεται στις συλλογές: | Ερευνητικές ομάδες |
Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
| Αρχείο | Περιγραφή | Σελίδες | Μέγεθος | Μορφότυπος | Έκδοση | Άδεια | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2101.10210.pdf | Post-review preprint (arxiv) δημοσίευσης σε περιοδικό https://doi.org/10.1109/JQE.2021.3071247 | 10 σελίδες | 768.38 kB | Adobe PDF | Του συγγραφέα (post-refereeing) |  | Δείτε/ανοίξτε |