Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: https://hdl.handle.net/123456789/236
Τύπος: Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό
Τίτλος: Updating the role of reduced graphene oxide ink on field emission devices in synergy with charge transfer materials
Συγγραφέας: [EL] Στυλιανάκης, Μηνάς[EN] Stylianakis, Minassemantics logo
[EL] Βισκαδούρος, Γεώργιος[EN] Viskadouros, Georgiossemantics logo
Συντελεστής: [EL] Πολυζωίδης, Χρήστος[EN] Polyzoidis, Christossemantics logo
[EN] Veisakis, Georgesemantics logo
[EL] Κενανάκης, Γεώργιος[EN] Kenanakis, Georgiossemantics logo
[EL] Κορνήλιος, Νικόλαος[EN] Kornilios, Nikolaossemantics logo
[EL] Πετρίδης, Κωνσταντίνος[EN] Petridis, Konstantinossemantics logo
[EL] Kυμάκης, Εμμανουήλ[EN] Kymakis, Emmanuelsemantics logo
Ημερομηνία: 22/01/2019
Περίληψη: Hydroiodic acid (HI)-treated reduced graphene oxide (rGO) ink/conductive polymeric composites are considered as promising cold cathodes in terms of high geometrical aspect ratio and low field emission (FE) threshold devices. In this study, four simple, cost-effective, solution-processed approaches for rGO-based field effect emitters were developed, optimized, and compared; rGO layers were coated on (a) n+ doped Si substrate, (b) n+-Si/P3HT:rGO, (c) n+-Si/PCDTBT:rGO, and (d) n+-Si/PCDTBT:PC71BM:rGO composites, respectively. The fabricated emitters were optimized by tailoring the concentration ratios of their preparation and field emission characteristics. In a critical composite ratio, FE performance was remarkably improved compared to the pristine Si, as well as n+-Si/rGO field emitter. In this context, the impact of various materials, such as polymers, fullerene derivatives, as well as different solvents on rGO function reinforcement and consequently on FE performance upon rGO-based composites preparation was investigated. The field emitter consisted of n+-Si/PCDTBT:PC71BM(80%):rGO(20%)/rGO displayed a field enhancement factor of ~2850, with remarkable stability over 20 h and low turn-on field in 0.6 V/µm. High-efficiency graphene-based FE devices realization paves the way towards low-cost, large-scale electron sources development. Finally, the contribution of this hierarchical, composite film morphology was evaluated and discussed.
Γλώσσα: Αγγλικά
Σελίδες: 15
DOI: 10.3390/nano9020137
ISSN: 2079-4991
Θεματική κατηγορία: [EL] Επιστήμες Μηχανικού και Τεχνολογία[EN] Engineering and Technologysemantics logo
Λέξεις-κλειδιά: field emissiongraphenereduced graphene oxidepolymer compositesgraphene inkcold cathodeFowler–Nordheim
Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων: © 2019 by the authors. Licensee MDPI
Όροι και προϋποθέσεις δικαιωμάτων: This article is an open access article distributed under the terms and conditions of the Creative Commons Attribution (CC BY) license (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/).
Διατίθεται ανοιχτά στην τοποθεσία: https://www.mdpi.com/2079-4991/9/2/137/htm
Ηλεκτρονική διεύθυνση του τεκμηρίου στον εκδότη: https://www.mdpi.com/2079-4991/9/2/137
Ηλεκτρονική διεύθυνση περιοδικού: https://www.mdpi.com/journal/nanomaterials
Τίτλος πηγής δημοσίευσης: Nanomaterials
Τεύχος: 2
Τόμος: 9
Σελίδες τεκμηρίου (στην πηγή): Article no 137
Σημειώσεις: This research was funded by State Scholarships Foundation (SSF) and cofinanced by the European Union (European Social Fund—ESF) and Greek national funds through the action entitled “Reinforcement of Postdoctoral Researchers”, in the framework of the Operational Programme “Human Resources Development Program, Education and Lifelong Learning” of the National Strategic Reference Framework (NSRF) 2014–2020, Grant No. 13992.
Εμφανίζεται στις συλλογές:Μεταδιδακτορικοί ερευνητές

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Αρχείο Περιγραφή ΣελίδεςΜέγεθοςΜορφότυποςΈκδοσηΆδεια
3) Article1_Stylianakis_Nanomaterials 2019, 9, 137.pdfArticle115 σελίδες σελίδες4.63 MBAdobe PDFΔημοσιευμένη/του ΕκδότηccbyΔείτε/ανοίξτε